2SB1115-T1-AZ

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2SB1115-T1-AZ中文资料参数规格
技术参数

频率 120 MHz

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 Mini-Mold

外形尺寸

封装 Mini-Mold

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SB1115-T1-AZ
型号: 2SB1115-T1-AZ
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:Power PNP 50V 1A

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