2SB1495Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SB1495Q概述

PNP 复合晶体管，Toshiba### 双极晶体管，Toshiba

PNP 复合，

欧时:
Toshiba 2SB1495Q PNP 达林顿晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE=2000, 3引脚 TO-220封装

艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 3A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220NIS

Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 100V 3A 3-Pin3+Tab TO-220NIS

2SB1495Q中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 2000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 8.1 mm

封装 TO-220

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SB1495Q引脚图与封装图

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型号： 2SB1495Q

制造商： Toshiba 东芝

描述：PNP 复合晶体管，Toshiba ### 双极晶体管，Toshiba