2SC3326-B

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2SC3326-B概述

NPN三极管 50V 300mA 30MHz 350~1200 100mV SOT-23 代码 CCB 静音电路 开关

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 300mA/0.3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 30MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 350~1200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 100mV/0.1V 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| NPN Silicon epitaxial Transistors For muting and switching applications HIgh emitter-base voltage High reverse hFE Low on resistance High DC current gain small package 描述与应用| NPN硅外延晶体管 对于静音和开关应用 发射极 - 基极电压高 高反向HFE 低导通电阻 高直流电流增益 小包装

2SC3326-B中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 0.3A

耗散功率Max 150 mW

封装参数

封装 TO-236

外形尺寸

封装 TO-236

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC3326-B
型号: 2SC3326-B
制造商: Toshiba 东芝
描述:NPN三极管 50V 300mA 30MHz 350~1200 100mV SOT-23 代码 CCB 静音电路 开关

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