Trans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 115mW
RF Transistor NPN 3.3V 35mA 25GHz 115mW Surface Mount
得捷: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
艾睿: SAME AS NE662M04 NPN SILICON A
耗散功率 115 mW
击穿电压集电极-发射极 3.3 V
增益 19 dB
最小电流放大倍数hFE 50 @5mA, 2V
额定功率Max 115 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 115 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-343
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册