2N7002K/T1

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2N7002K/T1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2 Ω

耗散功率 350 mW

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

封装 TO-236

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买2N7002K/T1
型号: 2N7002K/T1
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY  2N7002K / T1  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号2N7002K/T1
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2N7002K/T1

Vishay Semiconductor 威世

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