2SJ464F

2SJ464F图片1
2SJ464F中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 90 mΩ

耗散功率 45 W

漏源击穿电压 100 V

上升时间 25 ns

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SJ464F
型号: 2SJ464F
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET MOSFET P-Ch 100V 18A Rdson 0.09Ω

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