2N5460-E3

2N5460-E3图片1
2N5460-E3图片2
2N5460-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 350 mW

漏源击穿电压 40.0 V

栅源击穿电压 40.0 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买2N5460-E3
型号: 2N5460-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:Trans JFET P-CH 3Pin TO-226AA
替代型号2N5460-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5460-E3

Vishay Siliconix

当前型号

当前型号

2N5461

飞兆/仙童

类似代替

2N5460-E3和2N5461的区别

2N5460

NTE Electronics

功能相似

2N5460-E3和2N5460的区别

PN5033

Central Semiconductor

功能相似

2N5460-E3和PN5033的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司