2SK3160-E

2SK3160-E中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 10A

封装参数

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买2SK3160-E
型号: 2SK3160-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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