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2SC3858概述

Power Bipolar Transistor, 17A IC, 200V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3Pin, MT-200, 3Pin

- 双极 BJT - 单 NPN 20MHz 通孔 MT-200

得捷:
TRANS NPN 200V 17A MT-200

艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 17A 3-Pin MT-200

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 200V 17A 3-Pin MT-200

Verical:
Trans GP BJT NPN 200V 17A 3-Pin MT-200

DeviceMart:
TRANS NPN AUDIO/GP MT-200

2SC3858中文资料参数规格

技术参数

频率 20 MHz

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

最小电流放大倍数hFE 50 @8A, 4V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ESIP-3

外形尺寸

封装 ESIP-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC3858

型号： 2SC3858

制造商： Sanken Electric 三垦电气

描述：Power Bipolar Transistor, 17A IC, 200V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3Pin, MT-200, 3Pin

替代型号2SC3858