2SC3356-T1B-R24-A

2SC3356-T1B-R24-A概述

Same As Ne85633 Npn Silicon Ampl

RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23


得捷:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23


Win Source:
SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL


2SC3356-T1B-R24-A中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 11.5 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @20mA, 10V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC3356-T1B-R24-A
型号: 2SC3356-T1B-R24-A
制造商: California Eastern Laboratories
描述:Same As Ne85633 Npn Silicon Ampl

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