2SK2008-E

2SK2008-E中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 125 ns

输入电容Ciss 2340pF @10VVds

下降时间 100 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK2008-E
型号: 2SK2008-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
替代型号2SK2008-E
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