2SK1968-E

2SK1968-E中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 12A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK1968-E
型号: 2SK1968-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台