2SD826G

2SD826G中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 5A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126

外形尺寸

封装 TO-126

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买2SD826G
型号: 2SD826G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:TO-126 NPN 20V 5A
替代型号2SD826G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SD826G

ON Semiconductor 安森美

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