2SJ130L-E

2SJ130L-E概述

硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

Features

•  Low on-resistance

•  High speed switching

•  Low drive current

•  No secondary breakdown

•  Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators

Application

High speed power switching


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 300V 1A 3-Pin3+Tab DPAKL-1


罗切斯特:
Trans MOSFET P-CH 300V 1A 3-Pin3+Tab DPAKL-1


2SJ130L-E中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 1A

封装参数

封装 DPAK-3

外形尺寸

封装 DPAK-3

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SJ130L-E
型号: 2SJ130L-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET
替代型号2SJ130L-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SJ130L-E

Renesas Electronics 瑞萨电子

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2SJ130L

瑞萨电子

功能相似

2SJ130L-E和2SJ130L的区别

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