2N6212

2N6212中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2N6212
型号: 2N6212
描述:PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号2N6212
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N6212

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JAN2N6211

美高森美

完全替代

2N6212和JAN2N6211的区别

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