2N5955

2N5955图片1
2N5955中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 4 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 4000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2N5955
型号: 2N5955
制造商: Microsemi 美高森美
描述:Trans GP BJT PNP 60V 6A 3Pin2+Tab TO-66
替代型号2N5955
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5955

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当前型号

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