2SC5714

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2SC5714概述

2SC5714 三极管NPN 40V 4A HEF=400~1000 SOT89 代码 2E

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 4A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 400~1000 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.15V 耗散功率PcPower Dissipation | 1.0W Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. High-Speed Switching Applications. DC-DC Converter Applications. Strobe Applications.
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High DC current gain: hFE = 400 to 1000 IC = 0.5 A. * Low collector-emitter saturation voltage: VCE sat = 0.15 V max. * High-speed switching: tf = 90 ns typ.. 描述与应用 | NPN硅外延型。 高速开关应用。 DC-DC转换器应用。 频闪应用。 *高直流电流增益:HFE=400至1000(IC= 0.5 A)。 *低集电极 - 发射极饱和电压VCE(sat)= 0.15 V(最大值)。 *高速开关:TF=90 ns(典型值)。
2SC5714中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 4A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

2SC5714引脚图与封装图
2SC5714引脚图
2SC5714封装图
2SC5714封装焊盘图
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型号: 2SC5714
制造商: Toshiba 东芝
描述:2SC5714 三极管NPN 40V 4A HEF=400~1000 SOT89 代码 2E

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