2SK3342

2SK3342 P沟道场效应管 250V 4.5A TO252 代码 K3342 增强型 开关稳压器和DC-DC转换 低漏源导通电阻

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 250V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流IdDrain Current | 4.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.8Ω~1.0Ω VGS = 10 V, ID = 2.5 A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | Vth = 1.5 to 3.5 V VDS = 10 V, ID = 1 mA 耗散功率PdPower Dissipation | 20W Description & Applications | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type π−MOSIII. Switching Regulator and DC-DC Converter Applications. Motor Drive Applications.

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Low drain-source ON resistance : RDS ON = 0.8 Ω typ.. * High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.5 S typ.. * Low leakage current : IDSS = 100 μA max VDS = 250 V. * Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V VDS = 10 V, ID = 1 mA. 描述与应用 | 场效应晶体管的硅N沟道MOS型（π-MOSIII）。 开关稳压器和DC-DC转换器应用。 电机驱动应用。 *低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.8Ω（典型值）。 *较强的正向转移导纳：YFS|=4.5 S（典型值）。 *低漏电流：IDSS= 100μA（最大值）（VDS=250 V）。 *增强模式：VTH =1.5〜3.5 V（VDS=10V，ID= 1毫安）。