2SA1163

2SA1163 PNP三极管 -120V -100mA/-0.1A 100MHz 350~700 -300mV/-0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 CL 音频放大器

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | -120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | -120V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 200~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications | audio frequency general purpose amplifier applications Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT process • High voltage ： VCEO = −120 V • Excellent hFE linearity: hFE IC = −0.1 mA/hFE IC = −2 mA = 0.95 typ. • High hFE: hFE = 200~700 • Low noise: NF = 1dB typ., 10dB max • Complementary to 2SC2713 • Small package APPLICATIONS • Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 描述与应用 | 音频通用放大器应用 特点 •TOSHIBA的硅PNP外延式（PCT的进程） •高电压VCEO=-120V •优秀HFE线性：HFE（IC= -0.1毫安）/ HFE（IC=-2毫安）=0.95（典型值） •高HFE：HFE= 200〜700 •低噪音：NF=1分贝（典型值），10分贝（最大） •互补2SC2713 •小型封装 应用 •音频通用放大器应用