2SJ343

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2SJ343概述

2SJ343 P沟道MOS场效应管 -50V 50mA 20ohm SOT-23 marking/标记 KQ 高速开关/模拟开关应用

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -7V 最大漏极电流IdDrain Current| -50mA 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 20Ω @-10mA,-4V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Low threshold voltage: Vth = −0.8~−2.5 V • High speed • Enhancement-mode • Small package • Complementary to 2SK1826 描述与应用| 高速开关应用 模拟开关应用 •低阈值电压VTH =-0.8〜-2.5 V •高速 •增强模式 •小型封装 •互补2SK1826

2SJ343中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 0.05A

封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: 2SJ343
制造商: Toshiba 东芝
描述:2SJ343 P沟道MOS场效应管 -50V 50mA 20ohm SOT-23 marking/标记 KQ 高速开关/模拟开关应用

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