2SK2035

2SK2035 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-523/SSM marking/标记 KP 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 8Ω/Ohm @10mA,2.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Type High Speed Switching Applications Analog Switching Applications Features Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High input impedance Low gate threshold voltage Excellent switching times Enhancement-mode 描述与应用| 场效应的硅N通道类型 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 高输入阻抗 低栅极阈值电压 优良的开关时间 增强型