2SC5356

2SC5356 高压开关NPN三极管 900V 3A TO252 代码 C5356

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 900V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 800V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 10 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.0V 耗散功率PcPower Dissipation | 1.5W Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type PCT process. High Voltage Switching Applications. Switching Regulator Applications. DC-DC Converter Applications.

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Excellent switching times: tf = 0.5 μs max IC = 1.2 A. * High collectors breakdown voltage: VCEO = 800 V. * High DC current gain: hFE = 15 min IC = 0.15 A. 描述与应用 | TOSHIBA晶体管的硅NPN三重扩散类型（PCT程序）。 高电压开关应用。 开关稳压器应用。 DC-DC转换器应用。 *出色的开关时间：TF=0.5μs（最大）（IC=1.2 A）。 *收藏家高击穿电压：VCEO=800V。 *高直流电流增益：HFE= 15（min）（IC= 0.15）。