APTMC120AM16CD3AG

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APTMC120AM16CD3AG中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 625000 mW

漏源极电压Vds 1200 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 4750pF @1000VVds

额定功率Max 625 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

引脚数 7

封装 D-3

外形尺寸

封装 D-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTMC120AM16CD3AG
型号: APTMC120AM16CD3AG
描述:MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3

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