DFN N-CH 30V 6A
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 30V 6A 4.1W 表面贴装型 8-DFN(3x3)
得捷: MOSFET 2N-CH 30V 6A
艾睿: Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DFN EP
Win Source: MOSFET 2N-CH 30V 6A / RoHS and Halogen-Free Compliant
极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6A
输入电容Ciss 600pF @15VVds
额定功率Max 4.1 W
安装方式 Surface Mount
封装 PowerSMD-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册