AOU7S65参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOU7S65概述

TO-251A N-CH 650V 7A

N-Channel 600V 7A Tc 89W Tc Through Hole TO-251-3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin3+Tab TO-251A Tube

DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251

AOU7S65中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 89W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 434pF @100VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 89W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： AOU7S65

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：TO-251A N-CH 650V 7A