APT6017B2FLLG

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APT6017B2FLLG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 35.0 A

输入电容 4.50 nF

栅电荷 100 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 4500pF @25VVds

额定功率Max 500 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT6017B2FLLG
型号: APT6017B2FLLG
制造商: Microsemi 美高森美
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3Pin3+Tab T-MAX
替代型号APT6017B2FLLG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

APT6017B2FLLG

Microsemi 美高森美

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APT6017B2LLG

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