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AOE6932概述

30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 30V 55A Tc，85A Tc 24W，52W 表面贴装型 8-DFN（5x6）

得捷:
MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 55A/85A 8-Pin DFN EP T/R

AOE6932中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 24000@Q 1|52000@Q 2mW

漏源极电压Vds 30 V

额定功率Max 24W, 52W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

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型号： AOE6932

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET