BD438TG参数规格_中文资料_数据手册PDF

BD438TG概述

TO-225 PNP 45V 4A

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-225

得捷:
TRANS PNP 45V 4A

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT

艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 4A 36000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Tube

BD438TG中文资料参数规格

技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V

额定功率Max 36 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 36000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BD438TG

描述：TO-225 PNP 45V 4A

替代型号BD438TG