Infineon BFP720H6327XTSA1 , NPN 晶体管, 25 mA, Vce=13 V, HFE:160, 4引脚 SOT-343封装
SiGe 射频双极,
来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
欧时:
Infineon BFP720H6327XTSA1 , NPN 晶体管, 25 mA, Vce=13 V, HFE:160, 4引脚 SOT-343封装
得捷:
RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, 160 hFE
艾睿:
This BFP720H6327XTSA1 RF amplifier from Infineon Technologies is designed to operate in high radio frequency input power situations and is perfect for a variety of applications. This RF transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
安富利:
Trans GP BJT NPN 4V 0.025A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 4V 0.025A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
Win Source:
TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V SOT343
针脚数 4
耗散功率 100 mW
输入电容 0.35 pF
击穿电压集电极-发射极 4.7 V
增益 10.5dB ~ 28.5dB
最小电流放大倍数hFE 160 @13mA, 3V
额定功率Max 100 mW
直流电流增益hFE 160
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-343
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 FM Radio, ZigBee, Bluetooth, Mobile TV, Cordless phone, Cellular
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99