BSC119N03S

BSC119N03S图片1
BSC119N03S中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 11.9A

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 1030pF @15VVds

下降时间 2.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2800 mW

封装参数

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

封装 TDSON-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BSC119N03S
制造商: Infineon 英飞凌
描述:OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor

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