INFINEON BFP740FESDH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
SiGe 射频双极，
来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
欧时:
Infineon BFP740FESDH6327XTSA1 , NPN 硅锗双极晶体管, 45 mA, Vce=4.2 V, HFE:160, 47 GHz, 4引脚 TSFP封装
得捷:
RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
艾睿:
If you are dealing with high radio frequency input power, Infineon Technologies&s; BFP740FESDH6327XTSA1 RF bi-polar junction transistor is for you. This RF transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans GP BJT NPN 4.2V 0.045A 4-Pin TSFP T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 4.2V 0.045A 4-Pin TSFP T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin TSFP T/R
Newark:
# INFINEON BFP740FESDH6327XTSA1 Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160
Win Source:
TRANS RF NPN 42GHZ 4.7V SOT343
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 160 mW
输入电容 0.5 pF
击穿电压集电极-发射极 4.7 V
增益 9dB ~ 31dB
最小电流放大倍数hFE 160 @25mA, 3V
额定功率Max 160 mW
直流电流增益hFE 160
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TSFP-4
长度 1.4 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.55 mm
封装 TSFP-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 3G/4G UMTS/LTE mobile phone applications, 射频通信, Multimedia applications such as mobile/portable TV, CATV, FM Radio, Satellite communication systems: Navigation systems GPS, Glonass, satellite radio SDARs, DAB, ISM applications like RKE, AMR and Zigbee, as w, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99