ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
高电压，
### 标准
带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
额定电压DC 350 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 25 W
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 25 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BUD42DT4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BUD42DT4 安森美 | 完全替代 | BUD42DT4G和BUD42DT4的区别 |
BUD42D 安森美 | 完全替代 | BUD42DT4G和BUD42D的区别 |
BUD42D-1G 安森美 | 完全替代 | BUD42DT4G和BUD42D-1G的区别 |