BUL138

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BUL138概述

STMICROELECTRONICS  BUL138  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 80 W, 5 A, 10 hFE

高电压,STMicroelectronics


得捷:
TRANS NPN 400V 5A TO220


欧时:
STMicroelectronics BUL138 , NPN 晶体管, 5 A, Vce=400 V, HFE:8, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Hi-Volt Fast Sw


艾睿:
Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this NPN BUL138 GP BJT from STMicroelectronics. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 9 V. Its maximum power dissipation is 80000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 400 V and a maximum emitter base voltage of 9 V.


安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
NPN 80 W 400 V 5 A Flange Mount Fast-Switching Power Transistor - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 5A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  BUL138  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 400 V, 80 W, 5 A, 10 hFE


Win Source:
TRANS NPN 400V 5A TO-220


BUL138中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 5.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 8 @2A, 5V

最大电流放大倍数hFE 40

额定功率Max 80 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

BUL138引脚图与封装图
BUL138引脚图
BUL138封装图
BUL138封装焊盘图
在线购买BUL138
型号: BUL138
描述:STMICROELECTRONICS  BUL138  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 80 W, 5 A, 10 hFE
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