BD243CG参数规格_中文资料_数据手册PDF

BD243CG概述

NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

NPN 功率，

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BD243CG中文资料参数规格

技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC 100 V

额定电流 6.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 65 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V

额定功率Max 65 W

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 65000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.82 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BD243CG引脚图与封装图

在线购买BD243CG

型号： BD243CG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：NPN 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

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替代型号BD243CG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BD243CG ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BD243C 意法半导体	完全替代	BD243CG和BD243C的区别
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