INFINEON BSZ22DN20NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ22DN20NS3GATMA1, 7 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
得捷:
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
立创商城:
N沟道 200V 7A
贸泽:
MOSFET N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 7 A, 0.194 ohm, TSDSON, 表面安装
艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Infineon Technologies&s; BSZ22DN20NS3GATMA1 power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 34000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes optimos technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7A; 34W; PG-TSDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSZ22DN20NS3GATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 34 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.194 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 34 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 320pF @100VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 34000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSDSON-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.1 mm
封装 TSDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频, 工业, Industrial, 电机驱动与控制, Class D audio amplifiers, 发光二极管照明, Isolated DC-DC converters, Audio, 电源管理, Motor Drive & Control, LED Lighting
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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