ON SEMICONDUCTOR BU406G 单晶体管 双极, NPN, 200 V, 10 MHz, 60 W, 7 A, 10 hFE 新
NPN SILICON POWER TRANSISTORS 7 AMPERES − 60 WATTS 150 AND 200 VOLTS
These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s.
Features
• High Voltage: VCEV = 330 or 400 V
• Fast Switching Speed: tf = 750 ns max
• Low Saturation Voltage: VCEsat = 1 V max @ 5 A
• Pb−Free Packages are Available 得捷:
TRANS NPN 200V 7A TO220
立创商城:
BU406G
欧时:
ON Semiconductor, BU406G
艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans GP BJT NPN 200V 7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 200V 7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Verical:
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BU406G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 200 V, 10 MHz, 2 W, 7 A, 10 hFE
频率 10 MHz
额定电压DC 200 V
额定电流 7.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 60 W
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 7A
额定功率Max 60 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 60000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
宽度 4.82 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BU406G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BU406 安森美 | 类似代替 | BU406G和BU406的区别 |
BU406TU 安森美 | 类似代替 | BU406G和BU406TU的区别 |
BU407 安森美 | 类似代替 | BU406G和BU407的区别 |