双路场效应管, MOSFET, N和P, 5.1 A, 20 V, 0.041 ohm, 4.5 V, 1.1 V
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道互补型 20V 5.1A,3.2A 2.5W 表面贴装型 PG-TSDSON-8-FL
得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 5.1/3.2A TDSON
欧时:
Infineon BSZ15DC02KDHXTMA1
立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 20V 5.1A 3.2A
贸泽:
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 5.1 A, 0.041 ohm, TSDSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A 8-Pin TSDSON T/R
TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
额定功率 2.5 W
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.041 Ω
极性 N+P
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 5.1A/3.2A
输入电容Ciss 419pF @10VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TSDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free