BSZ15DC02KDHXTMA1

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BSZ15DC02KDHXTMA1概述

双路场效应管, MOSFET, N和P, 5.1 A, 20 V, 0.041 ohm, 4.5 V, 1.1 V

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道互补型 20V 5.1A,3.2A 2.5W 表面贴装型 PG-TSDSON-8-FL


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 5.1/3.2A TDSON


欧时:
Infineon BSZ15DC02KDHXTMA1


立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 20V 5.1A 3.2A


贸泽:
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 5.1 A, 0.041 ohm, TSDSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A 8-Pin TSDSON T/R


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R


BSZ15DC02KDHXTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.5 W

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.041 Ω

极性 N+P

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.1A/3.2A

输入电容Ciss 419pF @10VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TSDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSZ15DC02KDHXTMA1
型号: BSZ15DC02KDHXTMA1
描述:双路场效应管, MOSFET, N和P, 5.1 A, 20 V, 0.041 ohm, 4.5 V, 1.1 V

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