BD911

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BD911概述

STMICROELECTRONICS  BD911  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 90 W, 15 A, 50 hFE

NPN 功率,STMicroelectronics

### 双极晶体管,STMicroelectronics

STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。


欧时:
STMicroelectronics BD911 , NPN 晶体管, 15 A, Vce=100 V, HFE:5, 3 MHz, 3引脚 TO-220封装


得捷:
TRANS NPN 100V 15A TO220


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN General Purpose


艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 15A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
BD6xxx 系列 PNP 80 V 4 A 互补型 功率 达林顿 晶体管 - SOT-32


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 15A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO220AB


Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  BD911  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 3 MHz, 90 W, 15 A, 40 hFE


儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 100V 15A 90W TO2 **


力源芯城:
100V,15A,NPN功率晶体管


Win Source:
TRANS NPN 100V 15A TO-220


BD911中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC 100 V

额定电流 15.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 90 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 15 @5A, 4V

最大电流放大倍数hFE 150

额定功率Max 90 W

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 90 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Portable Devices, 工业, Consumer Electronics, 消费电子产品, 便携式器材, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BD911引脚图与封装图
BD911引脚图
BD911封装图
BD911封装焊盘图
在线购买BD911
型号: BD911
描述:STMICROELECTRONICS  BD911  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 90 W, 15 A, 50 hFE
替代型号BD911
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BD911

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