BYW80-200G

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BYW80-200G概述

ON SEMICONDUCTOR  BYW80-200G  快速/超快二极管, 单, 200 V, 8 A, 1.25 V, 35 ns, 100 A

整流器,4A 至 9A,

### 标准

带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


欧时:
### 整流器二极管,4A 至 9A,ON Semiconductor### 标准带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor


得捷:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2


立创商城:
BYW80-200G


艾睿:
Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin2+Tab TO-220AC Tube


Allied Electronics:
ON Semi BYW80-200G; Switching Diode; 200V 8A; 35ns; 2-Pin TO-220AC


安富利:
Diode Switching 200V 8A 2-Pin2+Tab TO-220AC Rail


Chip1Stop:
Diode Switching 200V 8A 2-Pin2+Tab TO-220AC Rail


TME:
Diode: switching; THT; 200V; 8A; Package: tube; TO220-2; 1.15÷1.39mm


Verical:
Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin2+Tab TO-220AC Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BYW80-200G  Fast / Ultrafast Diode, 200 V, 8 A, Single, 1.25 V, 35 ns, 100 A


Win Source:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2


BYW80-200G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 7.00 A

输出电流 ≤8.00 A

正向电压 1.25V @22A

极性 Standard

热阻 3 ℃/W

反向恢复时间 35 ns

正向电流 8 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 100 A

正向电压Max 1.25 V

正向电流Max 8 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 4.82 mm

高度 9.27 mm

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BYW80-200G引脚图与封装图
BYW80-200G引脚图
BYW80-200G封装焊盘图
在线购买BYW80-200G
型号: BYW80-200G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BYW80-200G  快速/超快二极管, 单, 200 V, 8 A, 1.25 V, 35 ns, 100 A
替代型号BYW80-200G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BYW80-200G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BYW80-200

安森美

完全替代

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