ON SEMICONDUCTOR BUV26G 单晶体管 双极, NPN, 90 V, 85 W, 20 A
NPN 功率，
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
额定电压DC 90.0 V
额定电流 20.0 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 85 W
击穿电压集电极-发射极 90 V
集电极最大允许电流 20A
额定功率Max 85 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 85000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BUV26G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BUV26 安森美 | 完全替代 | BUV26G和BUV26的区别 |