ON SEMICONDUCTOR BDX33BG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 70 W, 10 A, 750 hFE
The is a 10A PNP bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose and low speed switching applications.
- .
- Complementary device
- .
- Monolithic construction with built-in base emitter shunt resistors
- .
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat = 2.5VDC maximum @ IC = 3A DC
额定电压DC 80.0 V
额定电流 10.0 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 70 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 750 @3A, 3V
最大电流放大倍数hFE 750 @3A, 3V
额定功率Max 70 W
直流电流增益hFE 750
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 70000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.53 mm
宽度 4.83 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BDX33BG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BDX33B 飞兆/仙童 | 完全替代 | BDX33BG和BDX33B的区别 |