BSC032N04LSATMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V
Summary of Features:
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- Excellent gate charge x R DSon product FOM
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- Very low on-resistance R DSon
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- Ideal for fast switching applictions
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- RoHS compliant - halogen free
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- MSL1 rated
Benefits:
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- Highest system efficiency
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- Less paralleling required
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- Increased power density
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- System cost reduction
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- Very low voltage overshoot
BSC032N04LSATMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 52 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0025 Ω
极性 N-CH
耗散功率 52 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1800pF @20VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BSC032N04LSATMA1引脚图与封装图 
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