INFINEON BSZ160N10NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
得捷:
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ160N10NS3GATMA1, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TSDSON封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, 表面安装
艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this BSZ160N10NS3GATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 63000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with optimos technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSZ160N10NS3GATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V
额定功率 63 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 63 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1300pF @50VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 63W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON-8
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TSDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电, 工业, Audio, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Industrial, Uninterruptable power supplies UPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Communications & Networking, 电源管理, 通信与网络, Motor Drive & Control, Power Management, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSZ150N10LS3GATMA1 英飞凌 | 类似代替 | BSZ160N10NS3GATMA1和BSZ150N10LS3GATMA1的区别 |