ON SEMICONDUCTOR BD809G. 双极性晶体管, NPN, 80V TO-220
NPN 功率，
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 1.5 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 10.0 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 90 W
增益频宽积 1.5 MHz
集电极击穿电压 80.0 V
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 15 @4A, 2V
额定功率Max 90 W
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.83 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD809G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BD809 安森美 | 功能相似 | BD809G和BD809的区别 |