INFINEON BSC082N10LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 1.85 V
OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
Infineon- .
- * OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。
得捷:
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC082N10LSGATMA1, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 100 A, 0.0068 ohm, TDSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A 8-Pin TDSON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A 8-Pin TDSON EP
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSC082N10LSGATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 1.85 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
额定功率 156 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0068 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 156 W
阈值电压 1.85 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 13.8A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 5600pF @50VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 6.1 mm
宽度 5.35 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, 工业, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Audio, 电机驱动与控制, Uninterruptable power supplies UPS, Automotive, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Motor Drive & Control, Class D audi, 音频, Power Management
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17