BU323ZG参数规格_中文资料_数据手册PDF

BU323ZG概述

ON SEMICONDUCTOR BU323ZG 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE

NPN 复合，On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BU323ZG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 35.0 V

额定电流 10.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 150 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 500 @5A, 4.6V

最大电流放大倍数hFE 3400

额定功率Max 150 W

直流电流增益hFE 500

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.2 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.2 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电机驱动与控制, 电源管理, 工业, Motor Drive & Control, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BU323ZG引脚图与封装图

在线购买BU323ZG

型号： BU323ZG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR BU323ZG 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE

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替代型号BU323ZG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BU323ZG ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BU323Z 安森美	完全替代	BU323ZG和BU323Z的区别
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