单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
表面贴装型 N 通道 25 V 31A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
得捷:
MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
欧时:
Infineon MOSFET BSZ014NE2LS5IFATMA1
立创商城:
N沟道 25V 31A 40A
贸泽:
MOSFET LV POWER MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R
额定功率 69 W
极性 N-CH
耗散功率 2100 mW
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 31A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1600pF @12VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON-8-FL
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TSDSON-8-FL
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 and, E-fuse, Single-phase and multiphase POL, High power density voltage regulator, Or-ing, CPU/GPU VR in notebooks
RoHS标准
含铅标准 Lead Free