BU508AW

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BU508AW概述

STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

高电压,STMicroelectronics


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NPN 700V 8A


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TRANS NPN 700V 8A TO247-3


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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Hi Vltg NPN Pwr transistor


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# STMICROELECTRONICS  BU508AW  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 700 V, 125 W, 8 A, 5


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BU508AW中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 125 W

击穿电压集电极-发射极 700 V

最小电流放大倍数hFE 10 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 10

额定功率Max 125 W

直流电流增益hFE 5

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 消费电子产品, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BU508AW引脚图与封装图
BU508AW引脚图
BU508AW封装图
BU508AW封装焊盘图
在线购买BU508AW
型号: BU508AW
描述:STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
替代型号BU508AW
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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