BUB323ZT4G

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BUB323ZT4G概述

ON SEMICONDUCTOR  BUB323ZT4G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 2MHz 表面贴装型 D²PAK


得捷:
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK


欧时:
ON Semiconductor, BUB323ZT4G


立创商城:
NPN 达林顿双极功率晶体管


艾睿:
Trans Darlington NPN 350V 10A 150000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans Darlington NPN 350V 10A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 350V 10A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans Darlington NPN 350V 10A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BUB323ZT4G  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE


Win Source:
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK


DeviceMart:
TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK


BUB323ZT4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 10.0 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 150 W

输入电容 550 pF

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 500 @5A, 4.6V

最大电流放大倍数hFE 3400

额定功率Max 150 W

直流电流增益hFE 500

下降时间 625 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BUB323ZT4G
型号: BUB323ZT4G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BUB323ZT4G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE
替代型号BUB323ZT4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BUB323ZT4G

ON Semiconductor 安森美

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