ON SEMICONDUCTOR BUB323ZT4G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE
- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 2MHz 表面贴装型 D²PAK
得捷:
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
欧时:
ON Semiconductor, BUB323ZT4G
立创商城:
NPN 达林顿双极功率晶体管
艾睿:
Trans Darlington NPN 350V 10A 150000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans Darlington NPN 350V 10A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 350V 10A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans Darlington NPN 350V 10A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BUB323ZT4G Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE
Win Source:
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
DeviceMart:
TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK
额定电压DC 350 V
额定电流 10.0 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 150 W
输入电容 550 pF
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 500 @5A, 4.6V
最大电流放大倍数hFE 3400
额定功率Max 150 W
直流电流增益hFE 500
下降时间 625 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BUB323ZT4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BUB323ZT4 安森美 | 完全替代 | BUB323ZT4G和BUB323ZT4的区别 |
BUB323ZG 安森美 | 类似代替 | BUB323ZT4G和BUB323ZG的区别 |
BUB323Z 安森美 | 类似代替 | BUB323ZT4G和BUB323Z的区别 |