INFINEON BSC077N12NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 120 V, 0.0066 ohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
得捷:
MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC077N12NS3GATMA1, 98 A, Vds=120 V, 8引脚 TDSON封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSC077N12NS3GATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 98 A, 120 V, 0.0066 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
额定功率 139 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0066 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 139 W
阈值电压 3 V
输入电容 4300 pF
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 13.4A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 4300pF @60VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 139W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.35 mm
宽度 6.1 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals, Portable De, 电机驱, 便携式器材, Power Management, Computers & Computer Peripherals
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17